110 GHz GaAs FET oscillator

Tserng, H.Q.; Kim, B.

doi:10.1049/el:19850125

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“…Noise figures were typically 4 dB with gain above 20 dB at X-band. Over the next few years increasing performance was demonstrated, including millimeter-wave amplifiers as high as 44 GHz and a monolithic GaAs FET oscillator with a fundamental oscillation frequency of 115 GHz [10]- [11].…”

Section: Expansion Of Mmic Perfomance and Functionalitymentioning

confidence: 99%

Early MMIC developments at Texas Instruments

Brehm¹

2008

2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

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Brehm¹

2008

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“…Sur ce critère il est raisonnable de penser que la valeur de la fréquence Fmax puisse être bien supérieure à 100 Ghz. Ceci est par ailleurs confirmé par la mise en évidence expérimentale d'oscillations à 110 Ghz [23]. Sur cette base, l'on peut espérer des composants MESFET de puissance dans le bas de la bande des ondes millimétriques.…”

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Perspectives de forte puissance à l'état solide en ondes millimétriques

Lippens

Friscourt

Rolland

et al. 1987

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Le formidable effort fait actuellement dans les laboratoires sur les composants de type tripôle pose la question du choix d'un composant pour la génération de puissance en ondes millimétriques, actuellement dominée par les dipôles à résistance négative. Dans cet article, nous essayons de répondre à cette question en considérant les composants à effet de champ (MESFET et TEGFET) bipolaire à hétérojonction (HBT), à transfert électronique (diode GUNN) et à ionisation par choc (diodes IMPATT). Nous montrons que dans le bas de la bande millimétrique les performances des composants tripôles en amplificateur de puissance tendent de plus en plus à être comparables à celles obtenues pour les composants dipôles en régime d'oscillation (typiquement 1 W à 30 GHz). Par contre pour des fréquences de l'ordre et supérieures à 100 GHz les composants dipôles se révèlent les plus puissants

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High-Speed Devices and Integrated Circuits

Požela

1993

Physics of High-Speed Transistors

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110 GHz GaAs FET oscillator

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Early MMIC developments at Texas Instruments

Early MMIC developments at Texas Instruments

Perspectives de forte puissance à l'état solide en ondes millimétriques

High-Speed Devices and Integrated Circuits

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