В роботі систематизовані найбільш часто використовувані методи дослідження напівпровідникових структур низької розмірності (від одиниць мікрометрів до десятків нанометрів), що дозволяють кількісно і якісно визначати традиційні і нові їх властивості. Розглянуто явища, що відбуваються в приповерхневих шарах алмазоподібних кристалів під дією низькотемпературної (нижче 0, 35 Tпл) деформації, ультразвукового і лазерного опромінення. Встановлено фізичний механізм низькотемпературної мікропластичності в монокристалах Ge і Si. Визначено фізичні закономірності модифікації приповерхневих шарів GaAs при низькорівневому лазерному опромінюванню. Запропоновано новий метод формування наноструктур в Ge під дією дислокаційно-поверхневої дифузії.
У статті акцентовано увагу на необхідності формування у здобувачів освіти навичок активного використання наочності під час вирішення фізичних задач. Зазначені прийоми візуалізації можуть стати в нагоді для визначення можливих шляхів пошуку рішень та обрання доцільнішого для отримання кінцевого результату з мінімальною витратою часу та енергії. Сформованість стійких навичок різноманітної роботи з графічною інформацією є ознакою наявності свідомого підходу особистості до вирішення поставленої задачі та до навчання в цілому.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.