Методи Дослідження І Основні Властивості Низькорозмірних Структур

Abstract

В роботі систематизовані найбільш часто використовувані методи дослідження напівпровідникових структур низької розмірності (від одиниць мікрометрів до десятків нанометрів), що дозволяють кількісно і якісно визначати традиційні і нові їх властивості. Розглянуто явища, що відбуваються в приповерхневих шарах алмазоподібних кристалів під дією низькотемпературної (нижче 0, 35 Tпл) деформації, ультразвукового і лазерного опромінення. Встановлено фізичний механізм низькотемпературної мікропластичності в монокристалах Ge і Si. Визначено фізичні закономірності модифікації приповерхневих шарів GaAs при низькорівневому лазерному опромінюванню. Запропоновано новий метод формування наноструктур в Ge під дією дислокаційно-поверхневої дифузії.