For AlN and GaN infinite flat sheets, free and decorated nanoribbons with the zigzag-type edges and linear chains the analytical expressions for the band-gap widths, characteristic velocities and effective masses are obtained. Numerical results are compared with the values of the corresponding characteristics calculated within the same models for the silicon carbide and carbon nanostructures. The role of substrate is also briefly discussed.
Предложена модель гетероструктуры, представляющей собой монослой карбида кремния, сформированный на массивной кремниевой подложке. Рассмотрена задача об адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на атомах углерода и кремния поверхности гетероструктуры 2D SiC/Si. Приведены аналитические оценки перехода заряда и энергии адсорбции. Ключевые слова: двумерные гексагональные слои, полупроводниковая подложка, плотность состояний, адсорбция.