For AlN and GaN infinite flat sheets, free and decorated nanoribbons with the zigzag-type edges and linear chains the analytical expressions for the band-gap widths, characteristic velocities and effective masses are obtained. Numerical results are compared with the values of the corresponding characteristics calculated within the same models for the silicon carbide and carbon nanostructures. The role of substrate is also briefly discussed.
Предложена модель гетероструктуры, представляющей собой монослой карбида кремния, сформированный на массивной кремниевой подложке. Рассмотрена задача об адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на атомах углерода и кремния поверхности гетероструктуры 2D SiC/Si. Приведены аналитические оценки перехода заряда и энергии адсорбции. Ключевые слова: двумерные гексагональные слои, полупроводниковая подложка, плотность состояний, адсорбция.
Для оценки роли интеркалированного водорода в допировании квазисвободного эпитаксиального графена рассмотрены две системы: (i) графен-NH-SiC\0001\ и (ii) графен-монослой водорода-NH-SiC\0001\, где N=4, 6. В случае (i) смещение точки Дирака эпитаксиального графена вызывается электростатическим полем спонтанной поляризации подложки, в случае (ii) --- полем двойного электрического слоя, возникающего вследствие адсорбции атомов водорода. Показано, что во втором случае по сравнению с первым концентрация дырок в графене увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, что соответствует имеющимся экспериментальным данным. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44427.8410
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.