Обсуждаются механизмы образования, кристаллическая структура, особенности дефектообразования и состав формируемой при пониженных (менее 900 °С) ростовых температурах на поверхности Si из углеводорода и гидридов сплошной карбидной пленки. Показано, что при выращивании в течение длительного времени толстых карбидных слоев под карбидным слоем образуется система макродефектов и подстилающая поверхность, подобная пористому кремнию. Присутствие переходного слоя твердого раствора между карбидным слоем и подложкой из кремния проявляется в положении линий люминесцентных спектров исследуемых структур в области ближнего ИК диапазона. Для установления наиболее вероятных механизмов наблюдаемых излучательных переходов проведен анализ температурного поведения спектральных линий и расчет характера распределения по слоям структуры возбуждаемых светом неравновесных носителей заряда.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.