Характеризация Интерфейсных Слоев Твердого Раствора, Формируемого При Росте На Кремнии Из Водородсодержащих Соединений Карбидного Слоя

Abstract

Обсуждаются механизмы образования, кристаллическая структура, особенности дефектообразования и состав формируемой при пониженных (менее 900 °С) ростовых температурах на поверхности Si из углеводорода и гидридов сплошной карбидной пленки. Показано, что при выращивании в течение длительного времени толстых карбидных слоев под карбидным слоем образуется система макродефектов и подстилающая поверхность, подобная пористому кремнию. Присутствие переходного слоя твердого раствора между карбидным слоем и подложкой из кремния проявляется в положении линий люминесцентных спектров исследуемых структур в области ближнего ИК диапазона. Для установления наиболее вероятных механизмов наблюдаемых излучательных переходов проведен анализ температурного поведения спектральных линий и расчет характера распределения по слоям структуры возбуждаемых светом неравновесных носителей заряда.