No abstract

Анотація. Проведено розрахунок основних параметрів одномодових планарних інтегрально-оптичних хвилеводів на основі селенідних і телуридних матеріалів для середнього інфрачервоного діапазону ( = 5-20 мкм), а також розподілу електричної складової поля та коефіцієнтів локалізації мод в планарних інтегрально-оптичних структурах з однорідним, еспоненційним та параболічним профілем показника заломлення хвилеводного шару. Показано, що використання в якості хвилеводного шару градієнтної плівки ХСН із заданим профілем показника заломлення забезпечує можливість регулювати хвилеводні параметри планарного інтегрально-оптичного хвилевода в досить широкому діапазоні. Ключові слова: хвилеводи, градієнтний шар, халькогенідні склоподібні напівпровідники, профіль показника заломлення

Ця стаття присвячена дослідженню оптичних властивостей плівок Ge-S(Se)-In, які були осаджені зі швидкістю 5 нм/ с з використанням термічного випаровування на скляні підкладки з раніше синтезованого матеріалу. Виміряні спектральні, поляризаційні і кутові характеристики тонких плівок в діапазоні довжин хвиль λ=400-1000 нм. Розраховані оптичні параметри плівок різних складів (Ge 40 S(Se) 60) 100-x In x. Ключові слова: халькогенідні стекла, тонкі плівки, оптичні параметри, Ge-SIn , Ge-Se-In.

2 Інститут електронної фізики НАН України, вул. Університетська, 21, Ужгород, 88017, Україна 3 Ужгородський науково-дослідний центр матеріалів для оптичних носіїв інформації в ІПРІ НАН України, вул. Замкові Сходи, 4а, Ужгород, 88000, Україна ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В ПОЛІКРИСТАЛАХ TlIn(S 0.93 Se 0.07 ) 2 Досліджено діелектричні властивості кристалів TlIn(S0.93Se0.07)2 в околі фазових переходів при гідростатичних тисках до 700 МПа. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності в область вищих температур та появи при тисках р>540 МПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма. Ключові слова: сегнетоелектрики, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, фазові переходи.