The current–voltage characteristics of p -Si– n -(Si_2)_1 –_ x (ZnSe)_ x (0 ≤ x ≤ 0.01) heterostructures are studied at various temperatures. It is found that the current–voltage characteristics of such structures contain a portion of a sublinear increase in the current with voltage such as V = V _0 exp( Jad ). The concentrations of deep impurities responsible for the appearance of the sublinear portion in the current–voltage characteristic are estimated. The experimental results are explained based on the theory of the injection depletion effect.
Обнаружено, что прямая ветвь вольтамперной характеристики (ВАХ) гетероструктур n-GaAs-р-(GaAs)1−x−y(Ge2)x(ZnSe)y имеет участок сублинейного роста тока с напряжением типа V=V0exp(Jad). Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольтамперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность основных носителей уменьшается, а неосновных носителей увеличивается с ростом температуры.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.