Выполнен цикл экспериментальных исследований, а именно, проведены измерения и выполнен анализ полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости в образцах тонких пленок монокристаллического SiC, выращенных на поверхностях (100), (110) и (111) монокристаллического Si методом согласованного замещения атомов за счет химической реакции Si с газом CO. В результате исследований в структурах SiC, выращенных на Si (110) и Si (111), обнаружено возникновение в слабых магнитных полях двух квантовых эффектов при комнатной температуре. Этими эффектами являются, во-первых, образование гистерезиса статической магнитной восприимчивости, а во-вторых, возникновение осцилляций Ааронова--Бома в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости. Первый эффект связывается нами с эффектом Мейснера--Оксенфельда, а второй --- с присутствием в данных структурах под слоем SiC микродефектов в виде нанотрубок и микропор, формирующихся в процессе синтеза структур. В структурах SiC, выращенных на Si (100), эти эффекты обнаружены не были, что связывается нами с иным механизмом образования SiC на поверхности (100) Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, дилатационные диполи, магнитная восприимчивость, диамагнетизм, эффект Ааронова--Бома.
For the first time, electroluminescence was discovered in the middle and far infrared ranges from silicon carbide nanostructures on silicon, obtained in the framework of the Hall geometry. Silicon carbide on silicon was grown by the method of substitution of atoms on silicon. The electroluminescence from the edge channels of nanostructures is induced due to the longitudinal drain- source current. The electroluminescence spectra obtained in the terahertz frequency range, 3.4, 0.12 THz, arise due to the quantum Faraday effect. Within the framework of the proposed model, the longitudinal current induces a change in the number of magnetic flux quanta in the edge channels, which leads to the appearance of a generation current in the edge channel and, accordingly, to terahertz radiation.