Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния

Abstract

Выполнен цикл экспериментальных исследований, а именно, проведены измерения и выполнен анализ полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости в образцах тонких пленок монокристаллического SiC, выращенных на поверхностях (100), (110) и (111) монокристаллического Si методом согласованного замещения атомов за счет химической реакции Si с газом CO. В результате исследований в структурах SiC, выращенных на Si (110) и Si (111), обнаружено возникновение в слабых магнитных полях двух квантовых эффектов при комнатной температуре. Этими эффектами являются, во-первых, образование гистерезиса статической магнитной восприимчивости, а во-вторых, возникновение осцилляций Ааронова--Бома в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости. Первый эффект связывается нами с эффектом Мейснера--Оксенфельда, а второй --- с присутствием в данных структурах под слоем SiC микродефектов в виде нанотрубок и микропор, формирующихся в процессе синтеза структур. В структурах SiC, выращенных на Si (100), эти эффекты обнаружены не были, что связывается нами с иным механизмом образования SiC на поверхности (100) Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, дилатационные диполи, магнитная восприимчивость, диамагнетизм, эффект Ааронова--Бома.

Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

“…Дальнейшие экспериментальные исследования показали, что граница раздела 3C-SiC(111)/Si(111), полученная методом MCSA, обладает аномальными магнитными свойствами [8], которые можно использовать как для поглощения, так и для излучения электромагнитных волн в терагерцевом диапазоне [8,9]. Более того, обнаружены особенности поведения продольного электрического сопротивления данной системы при тех же температурах, при которых регистрируются скачки теплоемкости [9].…”