Results of design and manufacturing of electronic antenna unit for active electronically scanned antenna array (AESA) of onboard radar complex for the Earth remote sensing are given in this article. Electronic antenna operation frequency range ∆F = 9,3-9,8 GHz. Electron beam angles sector in azimuth is ±1,5 deg, by elevation angle is ±15 deg. Antenna beam width in azimuth is in the range of 4-5 deg, by elevation-in the range of 3,8-4,5 deg.
Рассматривается влияние ряда параметрических дефектов, связанных с процессами создания СВЧ мощных AlGaN/GaN НЕМТ, а также некоторых характеристик исходных гетероструктур на параметры приборов. Анализировалось возможное влияние полей внутренних напряжений в исходных подложках SiC, плотности дислокаций, изолирующих свойств буферного слоя GaN и микрорельефа поверхности исходных гетероструктур на токи утечки формируемых приборов. На примере мощных СВЧ транзисторов S-и Х-диапазона исследовалось влияние таких конструкторско-технологических факторов, как относительное расположение металлизированных отверстий вывода контактов к истоку на обратную сторону кристалла, а также влияние особенностей технологических процессов изготовления вжигаемых металлических контактов на параметры приборов. На основе полученных экспериментальных данных показано, как паразитные ёмкости и сопротивления влияют на величину частотных параметров реальных AlGaN/GaN НЕМТ.
This paper presents the results of design and production of 8-th channel transceiver module (TRM) for advanced active electronically scanned antenna (AESA) radar applications. TRM operating frequency range ∆F = 9.2-10.4 GHz. Transmitting channel output power P out (Рвых) = 10 W. Receiving channel noise figure NF (Кш) ≤ 3,5 dB. Module features digital signal pre-processing.
В статье представлены результаты разработки единого технологического процесса создания изделий СВЧ электроники, применяемые в космической аппаратуре. Проведëн сравнительный анализ физикохимических характеристик основных типов конструкции радиационно-стойких нитрид-галлиевых СВЧ приборов с использованием комплекса методов входного и технологического контроля.
Рассмотрены три основных конструктивно-технологических варианта создания структуры электрода истока мощных полевых HEMT-транзисторов на основе AlGaN/GaN/SiC. Проведён сравнительный анализ ёмкостных характеристик барьеров Шоттки систем «затвор-сток», «затвор-исток» этих транзисторов для рассматриваемых трёх вариантов, а также анализировались их вольт-амперные характеристики. Для транзисторов двух вариантов выявлено наличие пика нестабильности ёмкости в диапазоне низких частот (10-200 кГц).
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.