Рассмотрены три основных конструктивно-технологических варианта создания структуры электрода истока мощных полевых HEMT-транзисторов на основе AlGaN/GaN/SiC. Проведён сравнительный анализ ёмкостных характеристик барьеров Шоттки систем «затвор-сток», «затвор-исток» этих транзисторов для рассматриваемых трёх вариантов, а также анализировались их вольт-амперные характеристики. Для транзисторов двух вариантов выявлено наличие пика нестабильности ёмкости в диапазоне низких частот (10-200 кГц).
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.