We present in this paper an analytical model of the current -voltage (I-V) characteristics for submicron GaAs MESFET transistors. This model takes account the analysis of the charge distribution in the active region and incorporate a field depended electron mobility, velocity saturation and charge build-up in the channel.we propose In this framework an algorithm of simulation based on mathematical expressions obtained previously. The results obtained of the model are discussed and compared with those of the experimental data reading obtained from the literature [1], The agreement has been shown to be good.
Dans la dernière décennie, les spécialistes d’audit et de comptabilité ont accordé une grande importance au sujet de fraude à l’information comptable et financière ainsi qu’aux approches pour y faire face vu l’accroissement du phénomène, la progression de ses méthodes et la résistance de ses techniques aux moyens classiques de détection et de prévention. Les autorités professionnelles et les spécialistes ont dû, par conséquence, trouver des moyens modernes de détection et mettre à jour les classiques à l’instar des programmes d’audit spécialisés dans l’analyse, la recherche et la détection et la loi de Benford comme outil de détection prédictive d’erreur et de fraude à l’information comptable et financière. La loi de Benford a été essayée sur un échantillon d’opérations comptables pour le compte des clients de l’Algérienne des Eaux – unité de Laghouat, pendant six mois de l’année 2015 ayant pour but de savoir la capacité de détection de ladite loi. Après examen des résultats, il s’est avéré que les données comptables et financières de l’Algérienne des Eaux sont bel et bien compatibles avec la loi de Benford et que les anomalies entre la division de l’échantillon et celle de la loi de Benford n’ont pas de signification statistique. Les résultats ont également confirmé la possibilité d’utilisation de la loi de Benford dans le processus de détection prédictive d’erreur et de fraude à l’information comptable et financière.
A NEW MODELING OF THE CHARACTERISTICS OF GaAs MES-FET'S: A new approach for I-V standard model is proposed. This approach allowed to conceive applicable model for MESFET's operating in the turn-one or pinch-off region, and valid for the short-channel and the long-channel MESFET's, in which the two-dimensional potential distribution contributed by the depletion layer under the gate is obtained by conventional. 1D approximation. The drain current is decomposed into two components; the first is due to the conduction current flowing through the conduction channel, and the second component is a result of the current flowing through the space charge region resulting from the injection of the channel electrons into this last region. Moreover, comparison between the proposed analytical model and the experimental data are made and good agreement is obtained. In the end, this model is applied to estimate the cutoff frequency of the MESFET-GaAs from these static characteristics. This estimation is based • on the theoretical calculation of the transconductance and the gate capacitance of the device.
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