On the surface of this zone the energy gap remains relatively constant in the zincblende semiconductors (3). As it i s discussed earlier (4), we take a s a good approximation of this energy gap the average interband transition energy E2 of the direct transitions from the X state of the Brillouin zone to the XI and X3 states.It may be decomposed into contributions due to the symmetric and antisymmetric parts of the crystalline potential (5). Van Vechten denotes these contributions by E and C , reepectively. We may now write 3 g 5 h
На основе комплексного экспериментального исследования выявлены особенности формирования поляризованного состояния и его релаксации в пленках ПВДФ и его сополимера, электризованных в коронном разряде и предназначенных для изготовления пирои пьезоэлектрических сенсоров. Установлено, что поляризация и объемный заряд взаимосвязаны, образуя самосогласованную систему, стабильность которой в основном определяется захваченными в объеме зарядами. Показано, что захват зарядов происходит в макроскопических переходных областях, находящихся на границах полностью поляризованных частей объема. Захваченные заряды играют важную роль в стабильности поляризации, так как они нейтрализуют деполяризующее поле.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.