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Chemische Sensoren werden im wesentlichen zur Kontrolle spezieller Komponenten in Gasen und Flüssigkeiten benötigt. In Elektrolyten benutzt man heute in großemUmfang ionenselektive Elektroden (ISEs) -insbesondere Glaselektroden. Im Vergleich mit solccB ISEs gibt der folgende Artikel einen Überblick über Arbeitsweise, Aufbau, Technologie und Einsatzgebiete von ionensensitiven Feldeffekttransistoren (ISFETs). Aus unseren eigenen Untersuchungen beschreiben wir einen Tantaloxid-pH-Sensor, derAe theoretisch mögliche Empfindlichkeit von -59 mV/pH zeigt, und einen Natrium-ISFET mit einer anorganischen, aufgeschleuderten Na-AlSilikatschicht und einer Empfindlichkeit von -57 mV/pNa. Die Halbleiterbauelemente werden mit einer Prozeßfolge hergestellt, die mit der üblichen Μ OS-Technik voll kompatibel ist. Eine Differenzschaltung erübrigt eine externe Bezugselektrode. Mechanische Stabilität, kleine Abmessungen, geringe Kosten und die Verfügbarkeit einer größeren Anzahl sensitiver Schichten sind die Vorteile des ISFET. Mögliche Einsatzgebiete liegen in der Biomedizin, in klinischen Anwendungen, im Umweltschutz, in der Gewässerkontrolle sowie im sensorgeregelten Wasch-oder Spülprozeß bei Hausgeräten usw. Chemical sensors are primarily needed to control the concentration of specified components within gases and liquids. In electrolytes, ion-selective electrodes (ISE's) -especially glass electrodes -are being used today in a wide range of applications. In comparison to these ISE's this paper presents the operation principle, design, technology, andfield of application of ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) devices. As part of our own investigation we describe a tantalum oxide pH-sensor exhibiting Nernstian response of -59 mV/pH and α Ν a + -ISFET with an inorganic spun-on layer of Ν a-Al-silicate glass showing a sensitivity of M. Klein, Dr. M. Kuisl und Dr. Th. Ricker, AEG-TELEFUNKEN, Forschungsinstitut, Sedanstraße 10, D-7900 Ulm.-57 mVIpNa. The chips are fabricated by processing steps fully compatible with common MOS technology. A differential circuit is used to eliminate an external reference electrode.Mechanical stability, small size, low cost, and the availability of a greater variety ofsensitive layers are the potential advantages of ISFETs. Fields of application are biomedical and clinical laboratories, environmental control, pollution monitoring, automated detergent control in household appliances, etc.

Nach einer Übersicht über galvano‐ und thermomagnetische Effekte werden Meßwerte des ersten und zweiten Ettingshausen‐Nernst‐Koeffizienten von Edelmetallen, einigen B‐Metallen und den T‐Metallen Platin und Palladium bei Raumtemperatur angegeben. Die gemessenen Werte des zweiten Ettingshausen—Nernst‐Koeffizienten ergeben sich nach Vorzeichen und Betrag unterschiedlich und sind größer, als nach theoretischen Überlegungen zu erwarten war.

Vacuum-condensed Ni 81-Fe 1% films (thickness about 500 x, crystallite size approximately 150 x) a r e investigated by various methods of Lorentz microscopy ( 1 , 2). Among these low-angle electron diffraction (Fraunhofer diffraction) yields direct information about the magnetization directions (3) and, therefore, about the magnetic structure within the domain walls. The electron microscope is used as a high resolution diffraction camera similar to the way described by Wade and Silcox (4). Operating the Siemens Elmiskop I at 80 kV, an effective camera length of 40 m i s obtained. The objective lens is switched off, thus the domain configuration of the specimen is not affected by an external magnetic field. A distinct specimen area is chosen by a small object aperture. By variation of the intermediate lens current, off-focus images as well a s Lorentz deflection patterns can be produced of the same specimen area. In Fig. 3 such off-focus images and their corresponding Lorentz deflection patterns of a simple domain wall and of a cross-tie wall are shown. Images and deflection patterns are in correct orientation. A rotation by ~/ 2because of the Lorentz force must be accounted for if the deflection pattern i s to be read as a magnetization direction diagram. It can be shown that the observed streaks a r e not a wave-optical diffraction phenomenon (5, 6 ) . The interpretation of the different streaks indicated in Fig. 1 is given in Fig. 2. Theoretically, wall models have been discussed which a r e neither of pure Rloch nor of pure Nee1 type, so for instance the intermediate wall (7, 8) or the mixed wall (9). In the case of a one-dimensional 180 domain wall, these models do not yield a stable configuration with respect to wall energy (8, 9). Nevertheless, a Bloch component within cross-tie walls has been proposed to explain the observed Bloch line shift under the influence of a magnetic field in the direction perpendicular to the plane of the film (10). According to the interpretation given in Fig. 2 a new 0

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