For vitreous antimony trisulfide films (thickness 6.4 to 16.1 pm) the steady-state current-voltage characteristics were measured. The currents proportional to U 2 are interpreted in terms of space-charge-limited currents (SCLC) with a single trap level. It is proved that a steep current increase a t the end of the square-law region is caused by trap filling. The values of the parameters of this trapping level calculated using two independent methodsfrom the temperature dependence of the reduction factor 8 and from the trap-filled limit (TFL) voltageare in close agreement. The polarization and the conduction mechanism of vitreous Sb2S, films a t lower temperatures are discussed.Es wurden stationare Strom-Spannungs-Charakteristiken an Schichten aus amorphem Sb,S, (6,4 bis 16,l pm) gemessen. Die Proportionalitat des Stromes zu U 2 d-, wird durch raumladungsbegrenzte Strome mit einem einzelnen Haftstellenniveau erklart. Es wird bewiesen, daB der scharfe Knick im Endbereich des quadratischen Teiles der Strom-Spannungs-Charakteristik bei der Spannung U Z -~ durch Fiillung des diskreten Haftstellenniveaus hervorgerufen wird. Die Parameter dieses Haftstellenniveaus wurden mit zwei voneinander unabhangigen Methoden bestimmt : aus der Temperaturabhangigkeit des Beduktionsfaktors 8 und aus der Analyse der Spannung U Z -~. Beide Methoden ergaben gute Ubereinstimmung. Die Polarisation und der Leitungsmechanismns von amorphen Sb,S,-Schichten bei niedrigen Temperaturen werden ebenfalls analysiert.
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