The electrical conductivity and Hall coefficient perpendicular to the c-axis of hexagonal MoS,, MoSe,, and WSe, are measured over the temperature ranges 120 to 117OK and 140 to 820K, respectively. The derived temperature-dependent carrier densities are described by nexp (-E/IcT) for temperatures less than 800 K indicating (thermal) energy gaps of 0.38 eV in n-type MoS,, 0.27 eV in n-type MoSe,, and 0.19 eV in p-type WSe,. Above room temperature the carrier mobilities are given by p -T-a, where a z 1.5 in MoS,, MoSe, and 2.7 in WSe,. The high-temperature (>800 K) thermal activation energies of conduction correspond to energy gaps of 1.27, 0.95, and 1.33 eV in MoS,, MoSe,, and WSe,, respectively. Similar measurements on MoTe, crystals grown by bromine vapour transport demonstrate the effects of included bromine on the low-temperature conduction processes.Es werden die elektrische Leitfahigkeit und der Hall-Koeffizient senkrecht zur c-Ache fiir hexagonales MoS,, Nose, und WSe, im Temperaturbereich 120 bis 1170 K bzw. 140 bis 820 K gemessen. Die abgeleiteten temperaturabhingigen Ladungstragerdichten werden durch n -exp (--E/kT) fiir Temperaturen kleiner als 800 K beschrieben, was (thermische) Energielucken von 0,38 eV in n-leitendem MoS,, 0,27 eV in n-leitendem MoSe,, und 0,19 eV in p-leitendem WSe, ergibt. Oberhalb Raumtemperatur werden die Triigerbeweglichkeiten durch p -T -a gegeben, wobei a = 1,5 in MoS,, MoSe, und 2,7 in WSe, betragt. Die thermischen Aktivierungsenergien der Leitfiihigkeit bei hohen Temperaturen (>SO0 K) entsprechen Energielucken von 1,27, 0,95 und 1,33 eV in MoS,, MoSe, bzw. WSe,. Ahnliche Messungen an MoTe,-Kristallen, die mit Bromdampftransport geziichtet wurden, zeigen den Einflu5 von Bromeinschlussen auf den Leitungsproze5 bei tiefen Temperaturen.
