Este documento presenta el estudio del efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Se aplico una prueba de Polarización Inversa a Alta Temperatura (HTRB por sus siglas en inglés) a los dispositivos de potencia, determinando sus características eléctricas. Las herramientas utilizadas para este estudio fueron una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación de estrés térmico junto con el analizador de parámetros Keithley 4200-SCSn para la caracterización corriente-voltaje y un sistema de medición de ruido de baja frecuencia para caracterización de canales conductivos en dispositivos electrónicos. Los resultados indican un mayor nivel de ruido flicker después de la aplicación del estrés sobre los MOSFETs estudiados, que se relacionan con cambios en el voltaje de umbral producto del estrés aplicado, correlacionando directamente dichos parámetros.
Actualmente los transistores de efecto de campo fabricados en carbono de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los superiores beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia banda prohibida presenta varias peculiaridades de defectuosidad dentro de su estructura que afectan directamente a las características eléctricas de los dispositivos, el objetivo de este artículo es determinar el grado de defectuosidad al interno de la estructura MOS, mediante la técnica de caracterización histéresis en corriente continua, Para lograr este propósito, experimentalmente se evaluó dos familias de dispositivos MOSFETs fabricados en silicio de carbono de características eléctricas diferentes, los dispositivos evaluados pertenecen a la misma empresa. El grado de defectuosidad mostrado por cada dispositivo marca una tendencia de acuerdo con sus características eléctricas y su respectiva familia.
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