Abstract:Actualmente los transistores de efecto de campo fabricados en carbono de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los superiores beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia banda prohibida presenta varias peculiaridades de defectuosidad dentro de su estructura que afectan directamente a las características eléctricas de los dispositivos, el objetivo de este artículo es determinar el grado de … Show more
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