Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН 2 Новосибирский государственный технический университет 3 Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН «Конструкторско-технологический Институт прикладной микроэлектроники» Исследовано влияние различных покрытий поверхности пленок кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на повышение стабильности n-pпереходов на этих пленках при низкотемпературных отжигах. Показано, что в пленках, покрытых слоями SiO 2 и Si 3 N 4 при отжиге в диапозоне Т = 90...120 C возле индиевых контактов возникают области повреждений, размеры которых линейно зависят от времени отжига. Использование анодного окисла приводит к подавлению областей повреждений и увеличению стабильности n-p-переходов вследствие замедления образования p +-слоя за счет компенсации испаряющейся при отжиге ртути, высвобождающейся при химических реакциях на границе АО-КРТ.