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Measurements of positron, e+, mobility in Si using a positron-lifetime technique are reported and values of 100+or-18 cm2 V-1 s-1 and 990+or-170 cm2 V-1 s-1 are obtained at 295 and 104 K respectively. These are compared with results from previous studies using different experimental methods.

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Positron mobility measurements and their relevance to the study of defects and impurities in semiconductors and insulators are discussed. Since the short lifetime of the positron in condensed matter renders conventional mobility techniques unsuitable, positron mobility measurements rely on the observation of annihilation photons and of vacuum emission. Measurements utilising Doppler shift, angular correlation, profile shift and diffusion to surfaces are surveyed. New methods which observe the electric field drift of positrons by lifetime spectroscopy or vacuum emission are discussed. Lifetime measurements in Fe doped I n P give a positron mobility, p+ = = (15 & 5) om2 V-l s-l a t 77 K. Positronenbeweglichkeitsuntersuchungen und ihre Relevanz fur die Untersuchung von Defekten und Storstellen in Halbleiter und Isolatoren werden diskutiert. Da die kurze Lebensdauer der Positronen in kondensierter Materie konventionelle Beweglichkeitsmethoden ungeeignet macht, sind die Positronenbeweglichkeitsmessungen mit der Beobachtung der Annihilationsphotonen und Vakuumemission verkniipft. Es wird ein Uberblick der Messungen unter Benutzung der Dopplerverschiebung, Winkelkorrelation, Profilverschiebung und Diffusion zur Oberfltche gegeben. Neue Methoden, die die Drift der Positronen im elektrischen Feld durch Lebensdauerspektroskopie oder Vakuumemission beobachten werden diskutiert. Lebensdauermessungen in Fe-dotierten I n P ergeben eine Positronenbeweglichkeit, ,LL+ = (15 & 5) om2