Measurements of the Hall effect and conductivity are performed on HgTe in the temperature range 4 to 40 K and magnetic field up t o 70 kG. The analysis of conductivity tensor versus magnetic field enables t o establish the influence of different types of carriers on the total conductivity. The concentration of the conduction band electrons versus temperature is determined from the low magnetic field experimental data. By comparing t)his dependence with the theoretical one the position and concentration of discrete acceptor levels are determined. It is found that the energy of the acceptor level decreases from 2.3 to 1.7 meV when the acceptor concentration increases from 2 x lo1* to 7 X 10l8 c m 3 . A significant contribution of the low-mobility electrons (p < 5 x lo3 cm'/Vs) to the conduction is established.Messungen des Halleffekts und der Leitfahigkeit werden an HgTe im Temperaturbereich 4 bis 40 K und magnetischen Feldern bis zu 70 kG durchgefuhrt. Die Analyse des Leitfahigkeitstensors als Funktion des Magnetfeldes ermoqlicht die Bestimnlung des Einflusses verschiedener Ladungstragersorten an der Gesamtleitfahigkeit. Die Konzentration der Leitungsbandelektronen iiber der Temperatur wird aus den experimentellen Werten bei niedrigem Magnetfeld bestimmt. Durch Vergleich dieser Abhangigkeit mit theoretischen Werten werden die Lage und Konzentration der diskreten Akzeptorniveaus bestimmt. Es wird gefunden, daS die Energie des Akzeptorniveaus von 2,3 auf 1,7 meV abnimmt, wenn die Akzeptorkonzentration von 2 x 1018 auf 7 x 1018 ansteigt.Ein betrachtlicher Beitrag von Elektronen mit niedriger Beweglichkeit ( p < 5 x lo3 cm2/Vs) zur Leitfahigkeit wird festgestellt.
Xeasurement of the Hall effect and the conductivity are performed on HgTe sample characterized by an electron mobility of lo6 cm2/Vs at 1.6 K. The range of temperatures investigated is 1.6 t o 32 K and the external magnetic field covers the region 50 to 800 G. The interpretation of the data based on the conductivity tensor components analysis shows that the sample contains 5 x 1016 0111-3 acceptors. The acceptor ionization energy is estimated t o be 2 meV. It is shown that a simple one-carrier expression for the Hall constant may give wrong results for the electron concentration, differing by a factor of two from the correct value. From the behaviour of conduction electron concentration below 6 K i t is found that the conduction-valence band overlap is smaller than 0.3 meV.Bei 1,6 K werden an HgTe-Proben mit einer Elektronenbeweglichkeit von lo6 cmz/Vs Messungen des Halleffekts und der Leitfahigkeit durchgefuhrt. Dabei wird der Temperaturbereich von 1,6 bis 32 K und ein Bereich des auBeren Magnetfeldes von 50 bis 800 G uberstrichen. Die Interpretation der auf der Grundlage des Leitfahigkeitstensors durchgefuhrten Analyse zeigt, daO die Probe 5 x 1OI6 cm-3 Akzeptoren enthalt. Die Akzeptorionisierungsenergie wird zu 2 meV berechnet. Es wird gezeigt, daB ein einfacher Ein-Trager-Ausdruck fur die Hallkonstante ein fehlerhaftes Ergebnis fur die Elektronenkonzentration liefert, das urn den Faktor zwei vom korrekten Wert abweicht. Aus dem Verhalten der Leitungselektronenkonzentration unterhalb 6 K wird gefunden, da13 die Leitungsband-Valenzband-Uberlappung geringer als 0,3 meV ist.
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