Este trabalho visa investigar a remoção a vácuo de fósforo do silício grau metalúrgico (SiGM) (98,5% a 99% de Si). Foram realizados experimentos de fusão em forno de indução a vácuo, variando parâmetros como temperatura, tempo e relação área exposta ao vácuo / volume de silício. Os resultados de análise química foram obtidos por plasma acoplado indutivamente (ICP) e avaliados com base em aspectos termodinâmicos e cinéticos da reação de vaporização do fósforo no silício. Obteve-se refino de 33 para cerca de 1,5 ppm de P em três horas, concluindo-se que a etapa de evaporação é a etapa controladora do processo para os parâmetros de temperatura, pressão e agitação utilizados, e que o refino por este processo é tecnicamente viável.
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