A previously unreported stable paramagnetic defect centre in single-crystal alpha-quartz has been studied by quantitative X-band electron paramagnetic resonance spectroscopy at 15, 100, and 296 K, and is shown to contain a Ge 3+ ion, presumably located substitutional for Si 4+ , with a nearby interstitial Li + ion. The centre, called D Li herein, grows in slowly (months) after room-temperature x-irradiation and storage. Hyperfine structure arising from 73 Ge, 7 Li, and 29 Si has been observed. The spin-Hamiltonian parameter matrices g, A( 7 Li), A( 73 Ge), and P( 73 Ge) are reported, also for centre C Li . A thermal dynamic process, probably involving Li + hopping, begins to be appreciable above 100 K. Discussion of D Li , its apparent growth from another paramagnetic centre (not yet fully characterized), and comparison with other similar defects is included.Résumé : Nous étudions un nouveau centre de défaut paramagnétique stable dans le cristal simple du quartz alpha par spectroscopie EPR à bande X, à 15, 100 et 296 K et nous montrons qu'il contient un ion Ge 3+ , vraisemblablement substitutionnel sur le site du Si 4+ , avec un ion interstitiel proche Li + . Le centre , appelé ici D Li , croît lentement (mois) après irradiation X à température de la pièce et gardé au repos. Nous avons observé les structures hyperfines provenant de 73 Ge, 7 Li et 29 Si. Nous présentons les matrices g de paramètres du Hamiltonien de spin, A( 7 Li), A( 73 Ge) et P( 73 Ge), ainsi que pour un centre C Li . Un mécanisme dynamique thermique, impliquant vraisemblablement des sauts atomiques Li + , devient appréciable au delà de 100 K. Dans une discussion sur D Li nous incluons sa croissance apparente à partir d'un autre centre paramagnétique (pas encore caractérisé) et des comparaisons avec d'autres défauts similaires.[Traduit par la Rédaction]
