1 Доктор психологічних наук, доцент, професор кафедри психології та соціальної роботи Інституту підготовки кадрів Державної служби зайнятості України, м. Київ (Україна) ORCID ID: https://orcid.org/0000-0003-4101-9659 2 Засновник соціологічної групи "Рейтинг", м. Київ (Україна) ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-5650-72123 Кандидат наук з державного управління, заступник директора соціологічної групи "Рейтинг", м. Київ (Україна) ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-7512-5890 ЦІННІСНИЙ ПОРТРЕТ СУЧАСНИХ УКРАЇНЦІВ:НОРМАТИВНІ ІДЕАЛИ, ІНДИВІДУАЛЬНІ ПРІОРИТЕТИ, ДИНАМІКА ЗМІН© Marianna Tkalych, Igor Tyshchenko, Lubomyr Mysiv DOI (Article): https://doi.This is an Open Access journal, all articles are distributed under the terms of the Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0) License (http://creativecommons.org/licenses/by-ncsa/4.0/), allowing third parties to copy and redistribute the material in any medium or format and to remix, transform, and build upon the material, provided the original work is properly cited and states its license. АНОТАЦІЯ Суспільні трансформації, політичні, ідеологічні перетворення, науково-технічний прогрес вносять свої корективи в ціннісний портрет сучасних українців та потребують додаткового вивчення та переосмислення. Існує стала структура ціннісно-мотиваційних характеристик, яка визначає світоглядні позиції особистості, уявлення про себе, іншого та суспільство, спрямовує на задоволення тих або інших потреб. В такому контексті цінності розуміються як мотиваційні вектори (маркери). Мета статті полягала в аналізі результатів дослідження ціннісної сфери особистості, її нормативних ідеалів та індивідуальних пріоритетів, а також визначення динаміки змін за 10 років (з 2008 по 2018 рр.) на великій вибірці досліджуваних за допомогою особистісного опитувальника (суб'єктивного самозвіту), в основі якого -теорія базових індивідуальних цінностей Ш. Шварца (A Refined Theory of Basic Personal Values). Актуальний профіль цінностей за нормативним ідеалом та індивідуальним пріоритетом мають свої відмінності. В нормативному ідеалі переважає консерватизм, який важливіший за відкри-тість до змін, самовизначення (як альтруїстична позиція). У порівнянні, профіль індивідуальних цінностей суттєво відрізняється у самовизначенні -благонадійність, універсалізм, і разом з ними -суспільна безпека важливіші на індивідуальному рівні, ніж як еталон цінностей. При цьому безпека особиста -це нормативний еталон і менше -індивідуальний пріоритет. Аналіз динаміки змін ціннісного профілю за 10 років (2008 -2018 рр.) показав, що відбулися зміни в окремих цінностях: суттєво зріс гедонізм та досягнення, підвищилася цінність суспільної безпеки, в той час як значимість особистої безпеки знизилася, так само як і влади та традиційності. Не змінився рівень конформізму. Майже без змін залишилися самостійність, стимуляція, благонадійність та універсалізм. Перспективним вбачається дослідження детермінант та соціальних і психологічних маркерів, які обумовлюють саме такий ціннісний проф...
100) n-type silicon is implanted by B+ and BFa ions a t temperatures in the range of 600 to 1100 "C. The depth distribution of the impurities boron and fluorine and of the charge carrier concentration is determined by SIMS and Van der Pauw measurements after stepwise sheet removal. The development of lattice defects is studied by TEM. The observed depth of the boron profiles up to about 1 pm is explained by an enhanced diffusion due to excess vacancies. The differences in the development of defects for B+ and BF$ implantation and its influence on the electrical activation and the diffusion behaviour of boron is discussed.(100) n-Typ-Silicium wird mit B+und BFi-Ionen bei Temperaturen im Bereich von 600 "C bis 1100 "C implantiert. Die Tiefenverteilung der Borund Fluoratome sowie die Ladungstragerverteilung werden mittels SIMS bzw. Van der Pauw Messungen nach schrittweisem Schichtabtrag bestimmt. Die Entstehung von Gitterdefekten wird mittels TEM untersucht. Die beobachtete Tiefe der Borprofile bis zu etwa 1 pm wird durch cine erhohte Diffusion erklart, die durch einen Leer-stellenuberschuB bewirkt wird. Es werden die Unterschiede in der Defektentstehung bei B+-und BF&-Implantation und deren EinfluIj auf die elektrische Alrtivierung und das Diffusionsverhalten von Bor diskutiert.
A numerical solution of the problem of enhanced diffusion is obtained for Β in Sig irradiated at temperature 700 C by protons 50 keV, J= 6.8 μΑ/cm . The system of impurity ,defect and pair continuity equations are used. The constants of the kinetic reactions and diffusion coefficients are derived from experimental results. For 2 ca l cu l a tion it was used an implicit scheme At ) on non-uniform mesh.Impurity peaks formation due to up-hill boron diffusion was obtained in good agreement with the experimental results.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
customersupport@researchsolutions.com
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.