Розраховано зонну енерґетичну структуру напiвпровiдникiв Si, Ge та GaAs на основi формфакторiв модельного потенцiалу, екранованих iз використанням дiелектричної проникностi за Пеном. Отримано добре узгодження параметрiв зонної структури з експериментальними даними та результатами iнших розрахункiв.Ключовi слова: модельний потенцiал, зонна структура, напiвпровiдники.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.