Nonlocal Model Pseudopotential Calculations of the Electronic Structure of AIIBVI (CdS, CdSe) Bulk Crystals and Nanocrystals

Yakibchuk, P. M.; Bovgyra, O. V.; Toporovska, L. R.; Kutsa, I. V.

doi:10.21272/jnep.9(2).02030

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Вибір методики теоретичних розрахунків зумовлений достатньо високим збігом теорії з експериментом для інших монокристалічних [25]- [28] та наноструктурованих матеріялів [29], [30].…”

Section: методика розрахункуunclassified

Optical-Energy Properties of the Bulk and Thin-Film Cadmium Telluride (CdTe)

2018

Nanosist. Nanomater. Nanotehnol.

View full text Add to dashboard Cite

 2018 ІÌÔ (Інститут металоôізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України) Надруковано в Україні. Ôотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 520 Г. A. ІЛЬЧУК, Р. Ю. ПЕТРУСЬ, А. І. КАШУБА та ін. осаждённых на поверхность слюды. В рамках метода псевдопотенциала теоретически изучена динамика изменения параметров электронной подсистемы в кристалле и плёнке CdTe. Установлен прямозонный характер запрещённой щели кристалла. На основе плотности состояний установлен генезис зоны проводимости и валентной зоны. С использованием соотношения Крамерса-Кронига получены спектры поглощения и отражения, которые удовлетворительно коррелируют с полученными экспериментальными данными. Ключові слова: монокристал, тонка плівка, електронний енергетичний спектр, густина станів, оптичні ôункції.

show abstract

Section: методика розрахункуunclassified

Optical-Energy Properties of the Bulk and Thin-Film Cadmium Telluride (CdTe)

2018

Nanosist. Nanomater. Nanotehnol.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Моделювання твердих розчинiв замiщення Si 1−x Sn x проведено методом нелокального модельного псевдопотенцiалу (МП), який успiшно був застосований для розрахунку параметрiв електронного спектра напiвпровiдникових кристалiв [6,7]. Також для оптимiзацiї геометрiї i врахування впливу структурної релаксацiї проведено розрахунки зонної структури першопринципним методом у межах теорiї функцiонала електронної густини з використанням формалiзму екранованого обмiну (sX-LDA).…”

Section: моделI та методики розрахункIвunclassified

Electronic structure of Si_{1-x}Sn_x disordered solid solutions

Bovhyra¹,

Bovgyra²,

Popovych³

et al. 2019

J. Phys. Stud.

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Методом нелокального модельного псевдопотенцiалу дослiджено електронну зонну структуру твердих розчинiв замiщення Si1−xSnx. У розрахунках електронної зонної структури вказаних твердих розчинiв замiщення враховано вплив внутрiшнiх локальних деформацiй та композицiйної невпорядкованостi. Установлено, що перехiд непрямозонний-прямозонний напiвпровiдник у сплавах Si1−xSnx вiдбувається, якщо x = 0.6. Вiдповiдне значення ширини прямої забороненої зони становить Eg = 0.75 еВ.Ключовi слова: модельний потенцiал, зонна структура, напiвпровiдники, композицiйна невпорядкованiсть.

show abstract

Nonlocal Model Pseudopotential Calculations of the Electronic Structure of AIIBVI (CdS, CdSe) Bulk Crystals and Nanocrystals

Cited by 2 publications

References 0 publications

Optical-Energy Properties of the Bulk and Thin-Film Cadmium Telluride (CdTe)

Optical-Energy Properties of the Bulk and Thin-Film Cadmium Telluride (CdTe)

Electronic structure of Si_{1-x}Sn_x disordered solid solutions

Contact Info

Product

Resources

About