Electronic structure of Si_{1-x}Sn_x disordered solid solutions

Abstract

Методом нелокального модельного псевдопотенцiалу дослiджено електронну зонну структуру твердих розчинiв замiщення Si1−xSnx. У розрахунках електронної зонної структури вказаних твердих розчинiв замiщення враховано вплив внутрiшнiх локальних деформацiй та композицiйної невпорядкованостi. Установлено, що перехiд непрямозонний-прямозонний напiвпровiдник у сплавах Si1−xSnx вiдбувається, якщо x = 0.6. Вiдповiдне значення ширини прямої забороненої зони становить Eg = 0.75 еВ.Ключовi слова: модельний потенцiал, зонна структура, напiвпровiдники, композицiйна невпорядкованiсть.