Die initiale Sulfidkeimbildung an Versetzungen von Antimonspaltfolien kann durch Elektronenmikroskopie in Transmission untersucht werden. Die Größe solcher Partikel ist an Schrauben‐ und Stufenversetzungen unterschiedlich. Die Erklärung dafür wird durch die Annahme eines speziellen Diffusionsmechanismus gegeben.
In Abhängigkeit von der Substrattemperatur, der aufgedampften Schichtdicke und der Aufdampfrate wurde die Kondensation von Antimon auf NaBr‐Epitaxieschichten und auf Muskovit bei 10−5 Torr untersucht. Auch bei Substrattemperaturen oberhalb 1/3 Ts (Ts Schmelzpunkt) erfolgt bis zu einer kritischen Substrattemperatur (für Muskovit > 150°C, für NaBr‐Epitaxieschicht < 150°C) die Kondensation über die amorphe Phase. Oberhalb dieser Substrattemperatur bildet sich die kristalline Phase direkt aus der Dampfphase.
Bei einer bestimmten Schichtdicke kristallisiert die amorphe Phase. Die dabei auftretende Orientierung ist schichtdickenabhängig.
Hochvakuumaufdampfung von Cadmiumselenid auf AlkalihalogenideCdSe wurde bei einem Vakuum von besser als 5 .Torr auf luftgespaltene NaW-, NaC1-und NaBr-Kristalle aufgedampft. Substrattemperatur, Aufdampfgeschwindigkeit und Schichtdicke wurden variiert. Die Untersuchung der Schichten erfolgte mit dem Elektronenmikroskop durch Abbildung und Beugung.Auf NaF konnten bei den angewandten Versuchsbedingungen nur polykristalline Schichten der hexagonalen Modifikation ohne erkennbare Orientierung erhalten werden. Auf NaCl treten beide Modifikationen mit (0001)-bzw. (001)-Orientierung nebeneinander auf. Nur bei Zimmertemperatur ist die hexagonale Phase ausschliel3lich vorhanden. Versuche mit abgedampften NaC1-Spaltfliichen fuhren zu einer bemerkensnerten Dominanz der kubischen Phase. Im System CdSe/NaBr erscheinen unter allen Versuchsbedingungen beide Modifikationen mit Vorherrschen der kubischen Phase.Bei allen Substraten wurde ein Dekorationseffekt beobachtet. Die untere Temperaturgrenze, bei der ein Dekorat>ionseffekt auftritt ,,(Dekorat,ionstemperatur''), ist eine Funktion des Subst'rats: Die Dekorationstemperatur steigt mit zunehmender Gitterenergie.CdSe was vacuum-evaporat'ed on air-cleaved NaF-, NaC1-und NaBr substrates a t about 5 . 10-5 Torr. Substrate temperature, evaporation rate and thickness of the
Auf Grund experimenteller Untersuchungen hat es sich gezeigt, daß die Grenztemperaturen bei der Bildung von amorphen bzw. kristallisierten Schichten von Germanium sich in Abhängigkeit vom Substrat im allgemeinen nur wenig unterscheiden. Als Beispiel sei auf die Abscheidung von Ge auf NaCl bzw. NaF hingewiesen. Im Zusammenhang mit den Beobachtungen beim Germanium werden die Bedingungen für die Gültigkeit der Stufenregel vom theoretischen Standpunkt aus für diesen Fall diskutiert.
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