The optical properties of the layer material As,Se, a t low temperature are presented in the energy range between 1 and 9 eV for Polarization of light parallel to the three crystal axes including the stacking direction of the layers. The results are compared with a band structure calculated by means of a semi-empirical tight-binding model. It turns out that in As2Se, no lone-pair bands exist like for instance in Se. I n particular there is no gap between bonding and non bonding p states. The direct gap occurs at the point I?. Some of the upper valence bands near r show considerable splitting due to interlayer interaction. Nevertheless selection rules and the dependence of the optical spectra on the polarization of light are essentially determined by the symmetry of the single layer.Die optischen Eigenschaften des Schichtengitters von As,Se, werden bei tiefen Temperaturen im Energiebereich zwischen 1 und 9 eV untersucht fur Polarisation des Lichts parallel zu den drei Kristallachsen, einschlieI3lich der Stapelrichtung der Schichten. Die Ergebnisse werden mit einer Bandstruktur verglichen, die mit einem semi-empirischen "tight-binding"-Mode11 berechnet wurde. Es zeigt sich, daS es in As,Se3 keine ,,lone-pair"-Biinder gibt, anders als etwa in Se. Insbesondere gibt es kein Gap zwischen bindenden und nicht-bindenden p-Zustiinden. Das direkte Gap liegt im Punkt I?. Einige der oberen Valenzbiinder nahe I? spalten durch Wechselwirkung zwischen den Schichten betriichtlich auf. Die Auswahlregeln und die Polarisationsabhiingigkeit der optischen Spektren werden jedoch weitgehend durch die Symmeeie der einzelnen Schicht bestimmt.
The elcctroabsorpt,ion spectra of As,Se, single crystals are studied near 2 eV for polarization of light E 1) a and E 11 c. The low temperature spectra show fine structure related to indirect transitions with creation of phonons of an energy of 5, 11.5, 24.5, and 26.5 meV. This fine structure broadens rapidly above 50 K and disappears at' 77 K. With rising temperature a low-energy tail of the spectra develops which is attributed t o indirect transitions with annihilation of phonons.The energy of the indirect gap is determined to 1.989 eV a t 10 K. Above 100 K it' decreases with a temperature coefficient of -6.25 A I m Berejch urn 2 eV wird das Elektroabsorptionsspektrum von As,Se,-Einkristallen fur die Polarisation E j j a und E j j e gemessen. Bei tiefen Teniperaturen zeigen die Spektren Feinstruktur, die indirekten Ubergangen unter Erzeugang von Phononen der Energien 5; 11,5; 24,5 und 26,5 meV entspricht. Diese Strukturen verbreitern sich rasch ab etwa 50 K und sind bei 77 K bereits verschwunden. Auf der niederenergetischen Seite des Spektrums entwickelt sich mit wachsendcr Temperatur ein Auslaufer, der indirekten Ubergangen unter Vernichtung von Phononen zugeordnet wird. Die Breite des indirekten Gaps, die bei 1 0 K 1,989eV betragt, nimmt) obcrhalb 100 K ab mit einem Temperaturkoeffizienten von --6,25 :I lo-* eV/K. eV/K.
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