No abstract

No abstract

No abstract

These are model studies whose aim is to obtain information that would allow development of new technology for synthesizing monolayers of Al 2 O 3 -C with adjusted microstructure on cemented carbides. The Al 2 O 3 -C layer will constitute an intermediate layer on which the outer layer of Al 2 O 3 without carbon is synthesized. The purpose of the intermediate layer is to block the cobalt diffusion to the synthesized outer layer of Al 2 O 3 and to stop the diffusion of air oxygen to the substrate during the synthesis of the outer layer. This layer should be thin, continuous, dense and uniform in thickness.Al 2 O 3 -C layers were synthesized from aluminum acetylacetonate by the CVD method on quartz glass heated in an induction furnace in the temperature range 800-1000 • C using argon as a carrier for the reactants. The layers were prepared also at low temperatures and were then subjected to crystallization at higher temperatures. The resulting layers prepared at temperatures above 900 • C were nanocrystalline (including the α-Al 2 O 3 phase). Due to the fact that crystallization can be controlled, we may have a greater influence on the structure and thus the properties of the layer compared to direct synthesis at high temperature.Keywords: MOCVD method, cutting tools, composite layers Al 2 O 3 -C/Al 2 O 3Celem prowadzonych modelowych badań nad syntezą warstw Al 2 O 3 metodą MOCVD jest uzyskanie informacji przydatnych do opracowania nowej technologii nanoszenia tych warstw na podłoża z węglików spiekanych. Warstwa Al 2 O 3 -C będzie stanowić pośrednią warstwę, na której będzie syntezowana zewnętrzna warstwa Al 2 O 3 nie zawierająca węgla. Zadaniem warstwy pośredniej jest blokowanie dyfuzji kobaltu do syntezowanej zewnętrznej warstwy Al 2 O 3 oraz ochrona podłoża przed utlenianiem podczas syntezy zewnętrznej warstwy. Warstwa ta powinna być cienka, ciągła, gęsta i mało zróżnicowana w grubości.Warstwy Al 2 O 3 -C syntezowano z acetyloacetonianu glinu metodą CVD na szkle kwarcowym. Podłoże ogrzewano indukcyjnie w zakresie temperatur 800-1000 • C. Gazem nośnym był argon. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w wyższych temperaturach. Otrzymane warstwy w temperaturach powyżej 900 • C były nanokrystaliczne (zawierały fazę α-Al 2 O 3 ). Z uwagi na to, że proces krystalizacji warstw może być kontrolowany, można wpływać na strukturę oraz właściwości warstw.

No abstract