The changes of electrical properties and deep trap spectra induced in n-type β-Ga2O3 by 1 GeV protons with a fluence of 4 × 1013 cm−2 were studied. The carrier removal rates were ∼100 cm−1 at this energy. For comparison, for 20 MeV proton irradiation at comparable fluences (5–10 × 1014 cm−2), the removal rate was ∼400 cm−1 for donor concentrations of 3 × 1016 cm−3 and ∼100 cm−1 for concentrations of <1016 cm−3. These removal rates were in stark contrast with modeling results that predicted the introduction rates of vacancies to be two orders of magnitude higher for 20 MeV protons. Measurements of deep electron and hole traps densities by deep level transient spectroscopy with electrical or optical injection (DLTS or ODLTS), and capacitance–voltage profiling under monochromatic light illumination showed that the 1 GeV proton irradiation resulted in the introduction of deep donors E2*(Ec-0.75 eV) and E3 (Ec-1 eV) and deep acceptors with optical ionization threshold near 2.3 eV producing a feature near 250 K in ODLTS and 3.1 eV with related ODLTS feature near 450 K. The total concentration of all deep traps was much lower than that necessary to explain the observed decrease in net donor density upon irradiation. The donor densities showed a nonuniform distribution in proton irradiated films with the concentration greatly decreased toward the surface. Possible reasons for the observed performance are discussed.
Abstract.Different proton irradiation regimes were tested to provide more than 20 kHzfrequency, soft reverse recovery "snap-less" behavior, low forward voltage drop and leakage current for 50 mm diameter 7 kA/400 V welding diode Al/Si/Mo structure. Silicon diode with such parameters is very suitable for high frequency resistance welding machines of new generation for robotic welding.
Проанализированы возможные технологические варианты утонения полупроводниковых подложек. Проведена экспериментальная оценка эффективности плазмохимического травления подложек монокристаллического германия с кристаллографической ориентацией (100), применяемых для выращивания гетероэпитаксиальных структур многокаскадных солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений А III В V. Травление выполнено на установке реактивно− ионного травления с источником высокоплотной плазмы индукционного типа в газовой смеси (SF 6 : Ar = 2 : 1) через различные фоторезистивные маски. Для масок на основе фоторезиста ФП−383 с шириной окна 2, 4 и 6,5 мкм травление выполнено на глубину 20 мкм. Для маски на основе фоторезиста ФН−11 с шириной окна 95 мкм травление выполнено на глубину 58 мкм. Отмечено уменьшение толщины маски на основе ФП−383 с 1,5 до 0,87 мкм, а также толщины маски на основе ФН−11 с 10 до 8 мкм. Установлено, что скорость травления, значения которой составили 2,1-3,3 мкм/мин, снижается с увеличением ширины окна маски по степенному закону. Сделан вывод о перспективности применения плазмохимического травления на заключительной стадии технологического процесса изготовления многокаскадных солнечных элементов традиционной и метаморфной конструкций для улучшения энергомассовых характеристик.
В статье представлено описание метода физико-математического моделирования работы лавинного фотодиода (ЛФД) на основе гетероструктуры InP/InP/InGaAs/InAlAs. Метод основан на двумерном моделировании p-i-n --n + диода в программном комплексе САПР, включающий квазигидродинамическую модель, модели переноса носителей заряда (н.з.), лавинообразования и уравнения электрического поля с учётом оптического возбуждения монохроматическим излучением. Представлены расчётные и типичные обратные вольт-амперные (ВАХ) и спектральные характеристики лавинного фотодиода, позволяющие оптимизировать разработку конструкции эпитаксиальных слоёв на основе A 3 B 5 гетероструктуры.The article describes the method of physico-mathematical modeling of the operation of an avalanche photodiode (APD) based on the InP/InP/InGaAs/InAlAs heterostructure. The method is based on twodimensional modeling of the p-i-n --n + diode in the CAD software complex, which includes a quasihydrodynamic model, charge carrier transfer models, avalanche formation and the electric field equation with optical excitation taken into account by monochromatic radiation. Calculated and typical reverse volt-ampere (CVC) and spectral characteristics of the avalanche photodiode are presented, which allow to optimize the development of the construction of epitaxial layers based on the A 3 B 5 heterostructure. Введение З адача измерения расстояния между объектами была и остаётся актуальной. На сегодняшний день системы для высокоточных измерений объектов находят достаточно широкое применение в различных областях науки и техники, включая строительство, геодезию, военное дело, различные виды транспорта (наземный, морской, воздушно-космический). Основные усилия разработчиков дальнометрической аппаратуры направлены на повышение точности, быстродействия, стабильности работы при различных погодных условиях и уменьшении энергопотребления [1]. Важнейшими элементами Электронная техника. Серия 2.
The paper analyses the possibility to reduce the sensitivity of silicon integrated circuits (ICs) to single radiation effects by means of radiation-thermal treatment including irradiation in charged particle accelerators and subsequent low-temperature heat treatment. It is shown that reduction in sensitivity to single radiation effects is provided by formation of thermostable recombination centers in semiconductor IC structure in necessary concentrations. At the same time a decrease in primary photocurrent generated by heavy charged particles or high-energy protons, reduction in transfer coefficients of parasitic bipolar transistors forming thyristor structures, reduction in carrier avalanche multiplication coefficients at high electric field strengths can be provided. Radiationthermal treatment can be introduced in the manufacturing process of ICs of various classes at the end of the manufacturing cycle and does not require correction of the basic technology. A possible undesirable growth of inverse currents and preservation of values of other electrical parameters within acceptable values when using radiation-thermal treatment is provided by choosing optimal modes of irradiation and annealing which are established in the course of experimental tests. The calculated evaluation has shown that using radiation-thermal treatment in the technology of IC fabrication can provide a decrease in the effective collection length of non-equilibrium charge carriers generated under the influence of single radiation effects by at least 10 times which allows considering radiation-thermal treatment as an effective technological tool to suppress the sensitivity to single radiation effects.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.