Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe

Abstract

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационнорекомбинационный и туннельный, а при обратных-туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc = 0.26 В и ток короткого замыкания Isc = 58.7 мкА/см 2 при интенсивности освещения 80 мВт/см 2 .