Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs

Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

“…Образец 3 выращен на p + -подложке с повышенным уровнем ле-гирования и сформирован с толстым (750 нм) верхним нелегированным эпитаксиальным слоем. Более деталь-ное описание данных образцов можно найти в [18].…”

“…• С. Пониженная температура, как показали наши предыдущие исследования [8,19,20], обеспечивает формирование массива однородных КТ. Слой квантовых точек заращивался покровным слоем GaAs толщиной 25 нм.…”

“…2) можно выделить пять участков: участок A вблизи поверхности структуры -область нелегированного покровного слоя GaAs с концентрацией носителей заряда ∼ 6 · 10 16 см −3 ; участок B -суперпозиция двух близко расположенных пиков, соответствующих областям локализации носите-лей заряда в квантовой яме InGaAs и δ-слое; участок C протяженностью ∼ 180 нм -область нелегированного GaAs (спейсера) с концентрацией носителей заряда ∼ 4 · 10 16 см −3 ; участок D протяженностью ∼ 400 нм -область буферного слоя GaAs, легированного акцептор-ной примесью углерода, c концентрацией носителей за-ряда от 7 · 10 17 до 3 · 10 18 см −3 ; участок E -подложка с концентрацией носителей заряда 3 · 10 18 см −3 . Заметим, что найденная концентрация носителей заряда в под-ложке близка к результатам, полученным измерениями методом эффекта Холла [18].…”