Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

Abstract

GaAs light-emitting (LED) and HEMT structures with δ-doped regions, InGaAs/GaAs quantum wells, and surface layers of InAs/GaAs quantum dots were studied by means of the electrochemical capacitance- voltage profiling technique. The concentration depth profiles of free charge carriers were obtained. Charges accumulated in quantum wells and quantum dots, as well as the doping levels of the emitter and δ layers were determined. The band structure and free carrier density distribution over the depth of the samples with different quantum well geometry were simulated. The specific features of electrochemical capacitance- voltage profiling in different heterostructure types are analyzed. A method of integration of capacitance- voltage curves at each etching stage was suggested. This method provides the efficient separation of responses from closely located layers, particularly the quantum well and δ layer.

Сквозное Концентрационное Профилирование Гетероструктурных Солнечных Элементов

“…Следует также отметить, что при исследовании образца № 2 был применен предложенный нами ранее [9] так называемый метод интеграции вольт-фарадных характеристик. Это дало возможность провести более прецизионные измерения области p−n-перехода по сравнению со штатным измерением емкости двухчастотным методом, реализованным в ECV-профилометре, однако, к сожалению, не позволило уменьшить величину упомянутой выше " слепой зоны".…”