Рівень Фермі В Кристалах Антимоніду Кадмію При Наявності Радіаційних Дефектів

Abstract

За експериментальними результатами температурних залежностей концентрації носіїв струму розраховано зміни положення рівня Фермі у спеціально нелегованих кристалах антимоніду кадмію до і після опромінення гамма-квантами 60Co. Розглянуто особливості положення рівня Фермі від температури та дози гамма-опромінення в області домішкової провідності. Дослідження базується на результатах експериментальних даних холлівських вимірювань і електропровідності. Для коректної оцінки та розрахунку температурної залежності рівня Фермі проведено аналіз розв’язків рівняння електронейтральності.

РІВЕНЬ ФЕРМІ В КРИСТАЛАХ n-CdSb З ГЛИБОКИМИ ЕНЕРГЕТИЧНИМИ РІВНЯМИ ДЕФЕКТІВ

“…Вивченню зонної структури CdSb і оцінці положенню рівня Фермі присвячені роботи [1][2][3][4]. Зокрема автори [1] провели дослідження положення рівня Фермі для кристалів антимоніду кадмію, легованих міддю, лише при низьких температурах.…”

“…Зокрема автори [1] провели дослідження положення рівня Фермі для кристалів антимоніду кадмію, легованих міддю, лише при низьких температурах. До і після опромінення γ-квантами 60 Co досліджено положення рівня Фермі у кристалах CdSb, легованих індієм [3] і у спеціально нелегованих кристалах p-CdSb [4].…”