РІВЕНЬ ФЕРМІ В КРИСТАЛАХ n-CdSb З ГЛИБОКИМИ ЕНЕРГЕТИЧНИМИ РІВНЯМИ ДЕФЕКТІВ

Abstract

За результатами температурних залежностей концентрації носіїв струму досліджено зміни положення рівня Фермі у кристалах n-CdSb, легованих домішками Te і In, до і після опромінення γ-квантами 60Co. Розглянуто особливості положення рівня Фермі від температури в області домішкової та власної провідності. Дослідження базується на результатах експериментальних даних холлівських вимірювань і електропровідності. Для коректної оцінки температурної залежності рівня Фермі проведено аналіз граничних розв’язків рівняння електронейтральності, враховано температурні зміни ширини забороненої зони і рівня дефектів.