Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n-=SUP=-+-=/SUP=--p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния

Abstract

Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя с n + −p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения в исследуемой полупроводниковой структуре существенное влияние оказывают ловушки, возникающие при формировании пленки пористого кремния.

Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n-=SUP=-+-=/SUP=--p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления

“…Механизмы токопрохождения в полупроводниковых структурах, исследованных в настоящей работе, и в аналогичных образцах с антиотражающей пленкой por-Si, изготовленной анодным электрохимическим травлением [12], имеют близкий характер.…”

“…В то же время для образцов первой группы, исследованных в настоящей работе, в диапазоне температур от 260−290 (для разных образцов в пределах группы) до 370 K перенос носителей через область пространственного заряда p−n-перехода обусловлен диффузионным процессом. Для образцов с пленкой por-Si, изготовленной электрохимическим травлением, во всем исследованном диапазоне температур перенос носителей заряда через область пространственного заряда p−n-перехода был обусловлен процессами рекомбинации с участием ловушек [12].…”

“…В области U > 0.6 V напряжение в основном приложено к por-Si и проявляется туннельный механизм токопрохождения внутри пленки por-Si между энергетическими уровнями ловушек на поверхности кремниевых кристаллитов через барьеры SiO x [10]. В аналогичных образцах, где пленка por-Si формировалась анодным электрохимическим травлением [12] в области высоких напряжений прямого смещения, также наблюдается туннелирование носителей.…”

“…На процессы токопрохождения при прямом и обратном смещениях оказывают влияние ловушки с энергиями активации, распределенными в непрерывном диапазоне значений. Такая же ситуация отмечалась в аналогичных полупроводниковых структурах, где пленка por-Si формировалась анодным электрохимическим травлением [12].…”

“…По характеру прямых и обратных ветвей ВАХ образцы второй группы, исследованные в настоящей работе наиболее близки к аналогичным образцам с пленкой por-Si, изготовленной электрохимическим травлением, исследованным в [12].…”