Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)

Abstract

Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga 2 O 3 , GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайнобработкой воль-тамперных характеристик.

Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP

“…В работе [24] проводилось исследование электрофизи-ческих свойств поверхности исходного пористого образ-ца с использованием сверхвысоковакуумного туннель-ного микроскопа (LS SPM фирмы OMICRON). Опыты показали, что пористый слой GaP практически не имеет свободных носителей, а в области пор на поверхностных состояниях сосредоточен значительный отрицательный заряд.…”

“…Согласно исследованиям работы [24], возможной причиной обра-зования такого заряда является наличие нанокластеров Ga 2 O 3 , GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа. Расчеты показали возмож-ность протекания тока, способного вызвать значитель-ный локальный разогрев пористой структуры.…”