Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP

Abstract

Представлен новый способ создания жидкометаллического полевого эмиттера. Обработка пористого кристалла бинарного полупроводникового соединения GaP импульсами высокого напряжения в вакууме позволила получить на его поверхности устойчивые структуры в виде дискретных кластеров галлия. Данные структуры показали хорошие эмиссионные свойства: стабильные токи на уровне нескольких микроампер, а также достаточно высокую равномерность распределения эмиссионных наноцентров по поверхности.