“…Учитывая стремление к миниатюризации изделий современной функциональной электроники, в последние десятилетия в физическом материаловедении стало уделяться большое внимание теоретико-экспериментальным исследованиям свойств тонких пленок SBNx, выращенных на диэлектрических (MgO, Al 2 O 3 , SrTiO 3 ) и полупроводниковых подложках (Si n-и p-типа). К настоящему времени, монокристаллические тонкие пленки SBNx успешно получены металлорганическим методом [4] и магнетронным осаждением [5], импульсным лазерным осаждением (ИЛО) [6], а так же RF-катодным напылением [7,8] [8,9]. Однако, к настоящему времени в литературе практически отсутствуют результаты исследований зависимостей параметров структуры для пленок SBNx от толщины.…”