Гетеропереход Gaas-Snas-Sn

Abstract

Авторами исследовалась возможность создания эпитаксиальных структур GaAs-SnAs на подложках n+-GaAs и i-GaAs, обладающих важным достоинством, имеющим металлический тип проводимости и постоянную решетки, близкую друг к другу. Данные гетероструктуры могут использоваться в качестве базового элемента генераторов и приемников электромагнитного излучения СВЧ- и КВЧ-диапазонов волн.