Влияние Образования Силицидов На Удельное Сопротивление Кремния

Abstract

The effect of the formation of thin films of nickel silicides on the migration of intrinsic p -type impurities in silicon was studied for the first time. It was found that bulk resistance $${{\rho }_{{v}}}$$ of a single Si crystal increases by a factor of 3–4 if a NiSi_2 film with thickness θ ≥ 50–100 Å forms on its surface. This is attributable to the migration of boron atoms toward the silicide film. The Si layer thickness enabling measurable boron migration was estimated at 800–1000 Å.

Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

“…В частности, в работе [11] показано, что возникающий в результате химического взаимодействия Pd с Si при 100 • С слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину 1 мкм. В работах [13][14][15][16] изучено влияние низкоэнергетической ионной имплантации на кристаллическую и электронную структуры монокристаллов Si, GaAs и CaF 2 . Показано, что при этом происходит разупорядочение приповерхностных слоев, формирование различных дефектов вплоть до полного разупорядочения приповерхностных слоев этих монокристаллов.…”

Влияние Поэтапного Постимплантационного Отжига На Состав И Структуру Поверхностных Слоев Кремния, Имплантированного Ионами Щелочных Металлов

“…Низкоэнергетические ионы, имплантируемые на небольшие глубины, на ранней стадии эпитаксиального роста пленки создают поверхностные дефекты, действующие в дальнейшем как центры кристаллического зародышеобразования. Энергия ионов стимулирует протекание химических реакций на поверхности, в частности образование тонких переходных слоев [14][15][16][17][18]. В определенных условиях ионная бомбардировка способствует ионно-стимулированной десорбции атомов С, О и других загрязнений с поверхности.…”

Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Для создания наноразмерных структур на поверхности полупроводников и диэлектрических пленок часто используется метод ионной бомбардировки [11][12][13][14][15][16][17]. В [13] Таким образом, методом ионной бомбардировки в сочетании с отжигом впервые получены нанофазы и слои Si на различных глубинах приповерхностного слоя аморфных пленок и монокристаллических образцов SiO 2 .…”