Вакуумно-Эпитаксиальное Наращивание Тонкопленочных Гетероструктур Gaas-Snas

Abstract

Методом вакуумно-эпитаксиального наращивания на подложке Si-GaAs (100) синтезировано соединение олова с мышьяком в виде тонкопленочных гетероструктур GaAs-SnAs. Предполагается, что тонкопленочные структуры на основе соединения SnAs, относящегося по современным представлениям к классу полуметаллов Вейля, могут быть использованы для создания перспективных электронных приборов.