Zur Vorzeichenumkehr des photovoltaischen Effektes in Halbleitern

Abstract

Die Vorzeichenumkehr photovoltaischer Effekte bei Änderung der Photonenenergie, der Lichtintensität und der Temperatur wird durch eine p‐n‐p‐Struktur erklärt und anhand von Messungen an speziell hergestellten p‐n‐p‐Strukturen aus Ge, Si und SiC verifiziert.