Photospannungen in Isolatoren

Equations of recombination statistics for a model with two recombination centres are studied using various approximations. Variation of the non-equilibrium concentration caused by additional irradiation with light from the extrinsic absorption region can be explained by this model. Die Gleichungen der Rekombinationsstatistik fur ein Modell mit zwei rekombinationswirksamen Zentren wurden nach verschiedenen Niiherungsmethoden behandelt. DieVariation der Nichtgleichgewichtstragerkonzentrationen durch zusiitzliche Einstrahlung von Licht aus dem Gebiet der Storstellenabsorption kann mit diesem Model1 erkliirt werden.

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Generation‐Recombination Statistics in Semiconductors‐A Model with Two Centres

Friedrich

Jungk

1968

“…Sprrtrnl renponne of pilotovoltape (curve 1) nnd pliotoroiidurti\'ity (curve 2) near tlie alaorptioii edge at SO0 O l i (rurvra l a . Pa) and ut 80 OK(rurves 111, 2b)for tlie non-dopwl sample12 …”

mentioning

confidence: 99%

“…Spectral renponse of pllotovoitaue (curve l) and pliotocurrcnt with IUI uyylird vultugc of S5 V at 300 'K for tile non-doped sample 13 p l u m e n e w leyl--Sprrtrnl renponne of pilotovoltape (curve 1) nnd pliotoroiidurti\'ity (curve 2) near tlie alaorptioii edge at SO0 O l i (rurvra l a . Pa) and ut 80 OK(rurves 111, 2b)for tlie non-dopwl sample12 …”

mentioning

confidence: 99%

Minority carriers in zinc sulphide

Friedrich

Sysoev

Thiessen

1968

Photovoltage and photoconductivity measurements were made in non-intentionally doped and diffiision-doped XnS rrynt.nla grown frnm melt. tinder high prenniire. The photovoltage measurements allow the excitation of minority carriers to be detected. Whereas in the non-intentionally doped samples minority carriers are generated only by irradiation in the fundamental lattice absorption range, in Cu-doped crystals an excitation of holes is observed down to 2.5 eV. The hole lifeti111~8 a t fundamental lattice excitation have values of 10-10to 10-12 s in Cu-doped samples, in the undoped sampler they are greater than 10-lo 8. The photovoltage spectra are similar to the excitation spectra of photoluminescence.

Minoritätsträger in CdS I. Photospannung bei optischer Anregung innerhalb und außerhalb der Eigen‐absorption als Minoritätsträgereffekt

Palz

Ruppel

1966

Die stationäre Leerlauf‐Photospannung in den untersuchten monokristallinen CdS‐Proben wird durch Erzeugung freier Minoritätsträger d. h. Löcher hervorgerufen. Dies wird auch für Belichtung mit Wellenlängen jenseits der Absorptionskante gezeigt, indem die Photospannung mit der Tilgung der Majoritätsträger‐Photoleitung verglichen wird. Aus der Beobachtung einer reversiblen Tilgung der Photoleitung, durch Belichtung jenseits der Absorptionskante erzeugt, wird geschlossen, daß unter diesen Bedingungen freie Majoritätsträger nur durch einen Zweistufenprozeß erzeugt werden, während freie Minoritätsträger in einem Einstufenprozeß aus diskreten Termen angeregt werden können. Wenn zusätzlich zu einer Photospannung, die durch Belichtung in der Nähe der Absorptionskante erzeugt wird, eine Photospannung durch eine Belichtung mit längeren Wellen hervorgerufen wird, stimmt die Beziehung zwischen diesen Spannungen quantitativ mit einer Theorie überein, die auf der Erzeugung einer Photospannung durch freie Minoritätsträger im Photoleiter beruht. Während die stationäre Photospannung am Metall‐CdS Kontakt allein durch Berücksichtigung der Minoritätsträgererzeugung verstanden werden kann, erfordert die Erklärung des Kurzschluß‐Photostromes die Berücksichtigung der freien Majoritäts‐ sowie Minoritätsträger.