Zn-doped AlInAs grown at high temperature by metalorganic chemical vapor deposition

Dopagem Carbono Em Camadas Epitaxiais De Inalas

“…O carbono (C) é um importante dopante tipo p, especialmente no crescimento de semicondutores III-V pela técnica MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy) por apresentar uma série de vantagens como baixo coeficiente de difusão [6] e a possibilidade de se obter elevadas concentrações de buracos (1.8x10 19 cm -3 ) [2] em relação a outros dopantes como o belírio (Be) [7] e zinco (Zn) [8,9]. A dopagem com o carbono, pode ser aplicada em diversos materiais sem maiores dificuldades, como GaAs [10], AlGaAs [11], InGaAs, InP [12], GaP [13], InGaP [13,14] e GaN [14,15].…”