White-light emission from AlN dendrites

Shen, Longhai; Zhang, Xuanshuo; Song, Janyu; Li, Fengqi; Qi, Dongli

doi:10.1007/s10854-016-5349-9

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 15 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…[1][2][3][4][5][6][7]. Известны применения AlN для создания светодиодов и устройств поверхностных акустических волн, подложек для элементов электроники, детекторных сред для регистрации ионизирующего излучения различной природы [8][9][10][11][12][13][14]. Кроме того, микро-и наноструктуры AlN используются для создания компактных устройств на базе микролазеров УФ и видимого диапазонов [8,[15][16][17][18].…”

Section: Introductionunclassified

Особенности Спектрально-Разрешенной Термолюминесценции В Облученных Микрокристаллах Нитрида Алюминия

Спиридонов¹,

Чайкин²,

Мартемьянов³

et al. 2020

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

The regularities of photo- and thermoluminescence processes in submicrosized AlN crystals with cationic deficiency after UV excitation are studied. The observed emission spectra are a superposition of Gaussian bands with maxima at 3.0 and 2.5 eV. The indicated spectral features are due to electronic transitions involving ON impurity and (VAl –ON) oxygen-vacancy complexes. According to a quantitative analysis in the framework of the general order kinetics, carrier capture centers based on VN nitrogen vacancies have an activation energy of 0.45 eV and are responsible for the forming of the thermally stimulated luminescence with maximum at a temperature of 345 K.

show abstract