The barrier layer at a free surface of a PbI, crystal surrounded by a non-polar gas has been found to exhibit pronounced voltage rectification when passed by an alternating current of constant amplitude Io. The rectified voltage Us is found proportional to I:, and its temperature dependence at low temperatures is of the form 1/T. The rectification may be quenched by weakly absorbed light in a certain wavelengths range. The light-induced relaxation of U , has a half-life time t l / z = to exp u/kT where u is the activation energy.There is direct proportionality between Us and the ambient gas pressure P, but the pressure dependence of t i p is of the form P -W . Heat treatment of PbI, enhances, while iodine vapour suppresses Us and t 1 / 2 . Correlation of this behaviour with ion adsorption-desorp tion processes is pointed out. On avait trouv6 que la couche barrikre sup une surface libre d'un cristal PbI, entour6 par un gaz non-polair montre une rectification de voltage prononcbe lorsqu' elle est traversbe par une courant alternatif d'amplitude constante I,. Le voltage rectifib Us est proportionnel iL I:, e t son d6pendance de la temperature (basses temperatures) a la forme 1/T. La rectification peut atre eteinte par une lumiere faiblement absorbbe, comprise dans une bande des longeurs d'onde. La relhchement de U s produite optiquement, a un temps de demie-vie t1/2 = to exp ulkT, o h u est l'energie d'activation. I1 y a une proportionnalitb directe entre U s et la pression P de gaz ambiant, mais la dbpendance de tlp de pression a la forme P-1/2. Le traitement thbrmique de PbI, augmente U s et t 1 / 2 , tandis que la vapeur d'iode supprime tous les deux. La correlation de la conduite observbe avec des processus adsorption-desorption ionique est indiqube.